重要 高盛韩国逐条反驳存储空头三大担忧：市场对基本面「过于悲观」，周期强度与持续时间将超越以往

BiRun 讯，8 月 7 日，高盛亚洲首尔分部交易员 Justin Park 今日报告中指出，韩国股市近期剧烈波动已将存储芯片行业基本面预期压至过度悲观水平，市场定价隐含的基本面悲观程度「超出实际情况」，存储周期的强度与持续时间均可能超越以往。

高盛维持对韩国市场的超配立场及 KOSPI 未来 12 个月目标位 12,000 点不变。韩国 KOSPI 指数在 6 月 22 日高点后一度重挫 39%，7 月 31 日单日暴涨 17.9% 创历史最大单日涨幅。高盛认为 KOSPI 此轮急跌并非基本面实质恶化，而是由对存储周期持续性的担忧触发，经杠杆 ETF 被动抛售及短期动量投资者跟风卖出显著放大。技术面已明显改善——杠杆 ETF 规模收缩、保证金敞口下降、监管趋严及对冲基金仓位回落，市场筹码结构趋于干净，为后续修复奠定基础。

高盛逐条反驳空头三大核心担忧。

担忧一：英伟达拟下调 Rubin Ultra 的 HBM 配置。高盛反向解读——这恰恰印证 HBM 供给的结构性瓶颈，HBM 已成为 AI 产业链中供给最紧缺的核心组件，其可获得性将是全球 AI 产业扩张的关键制约因素。

担忧二：SK 海力士 LTA 策略的机会成本。大量产能被绑定在旧款 HBM3E 产线上，导致 SK 海力士二季度 DRAM 市场份额降至 26%，三星重回榜首升至 39%，美光与 SK 海力士差距收窄至仅 1 个百分点。高盛认为 SK 海力士下一阶段竞争力取决于能否快速完成产线切换。

担忧三：NAND「超预期但低于市场期望」的叙事引发获利了结，消费及边缘计算业务环比大幅下滑 32%，管理层预计 2027 年才出现实质性复苏。高盛的结构性判断是 DRAM 制程微缩空间趋于饱和——10 纳米或将是最后一个节点，良率下降和资本开支大幅攀升将从结构上支撑存储周期的积极判断。

存储需求侧存在两个积极信号：长鑫存储已拒绝苹果降价要求，定价与三星及 SK 海力士相当；DeepSeek 正计划「大幅」提价，标志着超低价补贴式 AI 推理时代走向终结。