美银研报解读：存储超级周期延续至 2027 年，三星或将启动大规模回购与特别股息

BiRun 消息，撰文：Rita 存储芯片的超级周期仍在延续。美银证券在 8月 7 日发布的全球存储科技周报中，将 2026 年全球 DRAM 行业销售额预测上调至 5730 亿美元，2027 年进一步增至 8470 亿美元，2028 年达 9170 亿美元。尽管 SK 海力士二季度 DRAM ASP 环比仅上涨 30%，低于同业 45%至 70%的涨幅，但三季度有望迎来 25%的快速回升，HBM4 出货量也将更显著。NAND 现货价格本周意外强劲反弹，512Gb 至1Tb 产品上涨 5%至 6%，256Gb 产品涨幅超 10%，远超季节性规律。美银认为，三星即将宣布以回购和特别股息形式向股东返还大量现金，预计特别股息规模超 30 万亿韩元，回购规模超 40 万亿韩元。 存储超级周期持续至 2027 年，四季度 ASP 将再次上修美银更新了全球存储行业预测模型。2026 年全球 DRAM 行业销售额预计达 5730 亿美元，同比增长 328%，2027 年达 8470 亿美元，增长 48%，2028 年小幅回落至 9170 亿美元，下降约 8%。NAND 行业 2026 年销售额预计达 3575 亿美元，同比增长 341%，2027 年达 4675 亿美元，增长 31%，2028 年下降约 14%。 价格路径方面，美银预计四季度行业平均 DRAM ASP 将环比上涨 8%，NAND 上涨 3%，随后在 2027 年保持稳定或温和修正。但 2027 年全年 ASP 均值仍高于 2026 年，因上半年基数较低。2028年 ASP 下降将是温和修正而非硬着陆，行业仍将维持较高的利润率水平。DRAM 位元增速 2026 年预计为 25%，2027年 19%，2028年 19%；NAND 位元增速分别为 20%、19%、19%。 HBM 需求是支撑超级周期的核心。美银预计 2026年 HBM 市场规模将达 774 亿美元，同比增长 124%，2027 年进一步增至 1528 亿美元，增长 98%。HBM在 DRAM 总出货量中的占比将从 2025 年的 8.5%升至 2026 年的 11.7%，2027 年达 14.1%。HBM ASP 在2026 年预计上涨 30%至每 GB 14.6 美元，2027 年上涨 38%至 20.2 美元。美银预计 SK 海力士在 HBM 出货量上维持领先，但三星在 HBM 晶圆产能上的份额有望在 2026至 2027 年追平甚至超越。 NAND 现货意外强劲反弹，DRAM 同步走高本周 NAND 现货价格表现超出预期。512Gb 至1Tb 产品上涨 5%至 6%，256Gb 产品上涨超 10%，美银认为这与二三级 OEM 厂商为 9 月和四季度旺季备货新机型有关。DRAM 现货价格也进一步反弹，环比上涨 1%至 2%，对应季度涨幅约 20%至 40%。整体而言，现货价格表现好于季节性规律，传统 DRAM和 NAND 的供给仍然偏紧。 南亚科 7 月营收达 440 亿新台币，环比增长 49%，同比增长 720%。韩国半导体 7 月出口额 420 亿美元，环比下降 9%，但同比仍强劲增长 179%。美银存储指标 6 月读数 183，仍处于历史高位附近，远高于景气中周期（100）和上周期（130）水平。 三星启动大规模资本回报，HBM 产能持续扩张三星电子预计将在近期公布回购和现金分红的更多细节。根据 CFO 在7月 30 日财报电话会上的表述，三星将使用 2024至 2026 年自由现金流的 50%（扣除每年已支付的 10 万亿韩元股息）。