小摩研报解读：半导体设备与材料需求全面上修，价格趋涨信号明确

BiRun 消息，撰文：Rita 半导体设备与材料行业的需求和定价权正在同步上修。 摩根大通在 8月 17 日发布的半导体与科技材料研报中，汇总了 4至 6 月海外企业业绩的核心结论。报告指出，芯片制造商上调资本开支、设备商上调 WFE 展望、存储 LTAs 加速推进，三个方向的需求均比三个月前更强劲。需求持续强劲的背景下，不仅是存储芯片厂商，设备商和材料商也出现了逐步提价的迹象。 芯片制造商竞相上调资本开支台积电将 2026 年资本开支指引上调至 600到 640 亿美元，增幅约 15%，中值同比增长 52%。先进制程占资本开支的 70%到 80%，其中 2nm 和3nm 是投资重点。管理层表示正与设备商紧密合作，设备不会成为产能瓶颈。台积电此前已宣布在亚利桑那州追加 1000 亿美元投资，此次资本开支上修进一步确认了其全球产能扩张的节奏正在加快。 英特尔将 2026 年资本开支从约 180 亿美元上调至 200 亿美元（同比增长 11%），其中设备资本开支同比增长 40%，并预计 2027 年将进一步显著增长。大部分资本开支将投向美国，前端设备占大头，但后端设备（与 EMIB-T 相关）的投资也在增加。18A 节点预计 2026 年底量产，14A 节点计划 2027 年下半年风险生产、2028 年量产。英特尔正在通过 IDM 2.0 战略重构其制造能力，设备采购的集中释放将对 WFE 市场形成持续拉动。 SK 海力士 2026 年资本开支计划为 40 万亿韩元，同比增长 45%，M15X 量产爬坡已提前，龙仁 Fab 1 将在 2027 年初启用。三星电子未披露详细计划，但 Taylor Fab 1 按计划在 2026 年启动，2nm 逐步爬坡，Taylor Fab 2 计划今年动工、2030 年量产。韩国两大存储巨头的资本开支节奏正在从观望转向加速，尤其是 HBM 产能扩张对前端设备的需求拉动正在成为 WFE 市场的额外增量。 设备商 WFE 展望上调，毛利率同步改善东京电子将 2026年 WFE 展望上调至 1500 亿美元以上，2027 年上调至 1900 亿美元以上。此前展望为 2026至 2027 年合计 1500到 1700 亿美元（较 2025 年增长 20%以上）。管理层还提到，通过提价等措施，毛利率有望在 2027 财年初达到 50%（2026年 4至 6 月为 47%）。东京电子是全球第四大半导体设备供应商，在涂布显影、刻蚀、沉积等多个细分领域拥有领先份额，其 WFE 展望的上修具有行业风向标意义。 Screen Holdings 将2026年 WFE 展望从此前约 15%到 20%的同比增长上调至 20%以上（至少 1400 亿美元），并预计 2027 年保持类似增速。作为清洗设备的全球领导者，Screen 的展望上调进一步验证了 WFE 市场的上行动能正在从头部设备商向全行业扩散。 存储 LTAs 加速覆盖，锁定产能与利润存储芯片的长期协议正在从“是否签署”转向“签多少、签给谁”。三星计划将 60%到 70%的 DRAM 产能纳入 LTA，目前已签署 5 份协议，另有 5 份在最终谈判阶段，客户包括 AWS、微软、谷歌、Meta和 Oracle。三星的 LTA 定价机制以五年期滚动合同为主，附带约 25%的预付款。 SK 海力士已签署约 10 份协议，期限约五年，附带预付款，定价因客户而异，旨在减少价格波动。SK 海力士在 HBM 市场的领先地位使其在 LTA 谈判中拥有较强的定价话语权。 SanDisk 已签署 8 份协议（其中。