高盛研报解读：晶圆前端设备（WFE）预测大幅上修至 1500 亿美元，DRAM 与代工主导设备支出

BiRun 消息，撰文：Rita 8 月 23 日，高盛发布全球半导体资本设备行业报告，将 2026至 2028 年晶圆前端设备（WFE）预测上调至 1500 亿、2180 亿和 2810 亿美元，较此前预测分别高出 6%、17%和 35%。调整后三年同比增速为 36%、45%和 29%，此前预期为 28%、32%和 12%。 高盛认为，本轮上调主要受 DRAM 和先进制程代工的短期需求拉动，NAND 和逻辑/其他（包含 Terafab）将在中期接力。存储与逻辑两大板块同步扩张，设备行业的需求基础正在从单一结构转向多元驱动。 DRAM 设备支出加速，产能约束延续至 2028 年 DRAM 是本次上修幅度最大的细分领域。高盛将 2026至 2028年 WFE 预测从 460 亿、670 亿、740 亿美元上调至 480 亿、720 亿、970 亿美元，同比增速从 45%、45%、10%上调至 50%、50%、35%。三星和 SK 海力士的资本开支预测分别上调 22%和 19%。 HBM4是 DRAM 资本开支集中上修的直接推手。与 HBM3 相比，HBM4 采用更先进的封装架构，对硅通孔（TSV）密度、微凸块间距和热管理能力提出了更高要求。这意味着每万片月产能所需的刻蚀、沉积和检测设备投入将显著增加。高盛预计，即便 DRAM 资本开支维持高位，行业产能约束仍将持续至 2028 年，设备供应商的订单可见度将延续较长时间。 代工与逻辑同步扩张，Terafab 贡献增量代工领域，高盛将 2026至 2028年 WFE 预测从 520 亿、680 亿、780 亿美元上调至 580 亿、840 亿、1090 亿美元，同比增速从 30%、30%、16%上调至 45%、45%、30%。台积电每年资本开支上修 80 亿美元，主要受 N2 制程强度提升和客户需求推动。 N2 是台积电首个采用环绕栅极（GAA）晶体管架构的量产节点。与 N3 相比，N2 的工艺复杂度更高，对 EUV 光刻、原子层沉积和选择性刻蚀等设备的用量明显增加。高盛预计未来几个季度 N2 将持续放量，拉动全链条设备采购。先进制程代工的设备强度显著高于成熟制程，每一代节点升级都意味着更高的单位产能设备投入。 逻辑/其他领域的 WFE 上修幅度同样可观。2026至 2028 年预测从 320 亿、350 亿、370 亿美元上调至 340 亿、470 亿、530 亿美元，同比增速从 5%、9%、6%上调至 11%、40%、12%。增量主要来自两方面：英特尔需求超预期，成熟制程和模拟市场复苏。 Terafab 是本次预测中一个不可忽视的新变量。高盛已将 SpaceX 与特斯拉承诺的约 168 亿美元 Terafab 初始阶段设备投入纳入逻辑/其他类别的 WFE 预测。Terafab 的初始设备采购涵盖光刻、刻蚀、沉积、检测等全类别，与逻辑芯片代工的设备需求高度重叠。Terafab 贡献了逻辑/其他板块的大部分增量。高盛认为，Terafab 的影响尚处早期，随着后续阶段逐步落地，该类目仍有上修空间。 NAND 方面，高盛将 2026至 2028 年预测维持在 110 亿、150 亿、220 亿美元，2027 年预测从 170 亿降至 150 亿，主要因部分厂商资本开支节奏调整。高盛预计 NAND 设备支出在近期以技术升级为主，供给偏紧格局将持续至 2027 年。 设备供应商全面受益 WFE 上修高盛看多全球半导体设备股。重点推荐应用材料、泛林半导体、ASML、东京电子、ASMI、BESI、Lasertec 和荏原。 DR