京都大学成功研发出耐 600°C 高温碳化矽电晶体

BiRun 消息，京都大学成功研发出能承受 600°C 高温的碳化矽（SiC）电晶体，远远超越了传统矽晶片在 250°C 以上即 […] 这篇文章京都大学成功研发出耐 600°C 高温碳化矽电晶体最早出现于链新闻 ABMedia 。