野村证券研报解读:封装基板出货同比跳涨 36%,多芯片封装路线之争浮出水面

BiRun 消息,撰文:Rita 潮向导读 5 月日本封装基板(刚性模组基板)出货金额同比增长 36%,达到 278 亿日元,创下历史新高。这个数据本身已经足够亮眼,但野村证券认为,更值得关注的是水面下的技术路线之争:Rubin Ultra 的封装结构可能从 GTC 大会上公布的四 die 方案转向双模块结构,台积电和英特尔正围绕 2.5D、3D 与 3.5D 封装展开更激烈的竞争。出货量涨的是当下,定胜负的是未来两年的技术迭代。 5 月数据创下新高,量价都在说话野村证券援引日本经济产业省发布的《工业生产调查》数据:5 月封装基板出货金额达到 278 亿日元,超过 3 月创下的 273 亿日元前高,同比增长 36%。从量来看,每平方米出货面积同比增长 10%;从价来看,每平方米均价达到 135.6 万日元,较 4 月创下的 122.6 万日元前高再涨 23%。需求在放量的同时也在向高端倾斜。 野村证券推断,英伟达 Rubin 封装需求将在今夏(最晚 8 月前后)真正放量,目前相关封装基板出货已经在逐步爬升。当前看到的 36%增速还只是前奏。 四 die 还是双模块?Rubin Ultra 封装结构生变报告中最硬的技术判断:市场正在形成共识,Rubin Ultra 的封装结构可能从英伟达今年 3 月 GTC 大会上公布的四 die 方案,改为双模块结构,每个模块内有两颗裸片以 3D 堆叠方式组合。部分观点还认为 Feynman 架构也可能采用类似的双模块设计。 为什么要变?核心瓶颈在于 HBM4 的布线更密、引脚更多,想要把超过 5.5 倍光罩面积的大型中介层与 HBM4 整合在一起,技术难度陡增。台积电可能在未来路线图中选择 3.5D 封装作为过渡方案,把 3D 堆叠和 2.5D 封装结合起来,等大型中介层的技术可行性更明确之后,再向更激进的集成度推进。 英特尔 EMIB-T 亮相:不用中介层也能堆 HBM4 在美国电子元器件与技术大会上,英特尔发布了一篇关于 EMIB-T 的技术论文。这是一种 2.5D 封装方案,最大特点是不使用中介层。 英特尔披露,EMIB-T 将在 2026 年完成量产准备,目标产品尺寸达到 8 倍光罩面积,封装尺寸 120×120 毫米,可集成最多 12 颗 HBM4,采用四 die 结构。相比前代 EMIB,EMIB-T 引入了硅通孔和 MIM 电容,使封装内部供电网络的压降改善了 68-80%。这个改进很关键,EMIB 过去在 AI 加速器封装中推广受限,一个重要原因就是供电压降问题过于突出。 野村证券认为,英特尔正在通过 EMIB-T 构建与台积电对标的生态体系,但台积电在供电管理和散热能力上仍有优势,尤其是 3DFabric Alliance 已经聚集了多家设备和材料合作伙伴。 决定胜负的四大战场报告指出,下一代封装竞赛的核心技术有四项:供电、散热、CPO 和 3D 堆叠(混合键合)。谁能在这四个领域同时建立生态优势,谁就能掌握 AI 加速器封装的主导权。 短期看,封装基板出货量的高增长仍将持续,Rubin 量产和 HBM4 渗透是主要拉动。中期看,封装基板厂商的客户结构和产品定位,取决于它们能切入哪家龙头、哪种技术路线。台积电路线与英特尔路线的差异,会直接影响上游材料的规格、层数、尺寸和散热设计。 潮向视角这份报告把一个月度出货量数据拆开来看,底下是一场正在升级的技术路线战争。封装基板不同于普通 PCB,AI 时代它的性能直接由客户采用的封装架构决定。英伟达 Rubin 的结构调整,会牵动台积电、英特尔、基板厂、HBM
利多 NVDA(英伟达) 查看原文
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