马斯克回应存储芯片股遭抛售：中国掌握制造技术后，扩产能力往往超过世界其他地区总和

BiRun 讯，10 月 13 日，马斯克在回应存储芯片股遭抛售的讨论时表示，中国一旦掌握某种产品的制造技术，其扩大生产规模的能力往往超过世界其他地区的总和，锂电池和太阳能领域已出现过这种情况。

他表示，内存行业或许有所不同，但大约三年前，内存仍是低利润率的大宗商品。LP5 和 LP6 遵循通用标准，中国似乎正在迅速攻克相关技术。不过，新一代 HBM 架构，以及在逻辑电路下方设置 SRAM 层、在上方三维堆叠内存并同时解决逻辑电路散热等技术，将更难攻克。

马斯克同时称，SpaceX 是罕见的反例，其送入轨道的载荷总质量比世界其他地区总和高出约一个数量级。但在 SpaceX 以外的入轨载荷总质量中，中国已占据大多数。

此前报道，长鑫科技宣布在新一代 DRAM 的 4F² 架构研发上取得关键进展，预计年底推出融合该架构、混合键合等技术的 DDR5 RDIMM 服务器内存产品。相较主流 6F² 架构，4F² 理论上可使单元面积缩减约三分之一，在相同晶圆面积和制程节点下提升约 50% 的存储密度，令市场对未来竞争及供应扩张的担忧升温。