長鑫科技：基於4F²架構的第六代技術平台DRAM完成工程樣片驗証

國產存儲芯片龍頭長鑫科技第六代工藝技術平台已完成工程樣片的驗証。10月30日，長鑫科技在第三季度業績交流會中透露，在4F²垂直溝道DRAM（動態隨機存取存儲器）架構取得關鍵突破的基礎之上，第六代工藝技術平台已完成工程樣片的驗証。按照產業實踐，工程樣片驗証完成意味着該平台覈心性能指標已在眞實晶圓上達到設計預期，在客戶端完成驗証後可進入規模量產階段。