英偉達被缺貨逼急了：Rubin Ultra 芯片考慮降低 HBM 配置，2027 年 DRAM 荒還沒完

BiRun 消息，作者：TrendForce 編譯：深潮 TechFlow 深潮導讀：內存供應持續緊張正在改變 AI 芯片的設計邏輯。英偉達從 2026 年第三季度開始評估降低下一代 Rubin Ultra 芯片的 HBM 配置，從原計劃的 12 層 HBM4e 擴大到包括 8 層 HBM4e、12 層 HBM4 和 8 層 HBM4 等多種方案。這不是技術選擇，而是供應鏈被逼出來的妥協——DRAM 短缺將持續到 2027 年，HBM4e 的量產時間表仍不確定，AI 芯片廠商必須在性能和出貨量之間做權衡。 根據 TrendForce 最新內存行業研究，DRAM 供應緊張狀況將持續至 2027 年，且內存供應商的 HBM4e 驗証時間表仍存在不確定性。這些限製因素正促使 AI 芯片廠商削減下一代產品的 HBM 配置。 自 2026 年第三季度起，英偉達已開始擴大對 Rubin Ultra 芯片 HBM 配置的評估範圍，從最初的 12 層 HBM4e 設計擴展至包括 8 層 HBM4e、12 層 HBM4 和 8 層 HBM4 等替代方案。最終規格尚未確定。除英偉達外，多家雲服務商也在評估為其下一代自研 AI ASIC 芯片降低 HBM 容量。 TrendForce 指出，近期的內存短缺已導致 AI 芯片內存規格出現多次調整。例如，雲服務商和服務器 OEM 廠商在 2026 年上半年降低了服務器配置中的 RDIMM 容量。最近，英偉達在判斷 LPDDR5X 供應限製可能持續至 2027 年後，決定將下一代 Vera Rubin 超級芯片模塊的 SOCAMM 容量減半。 從 2025 年到 2026 年上半年，英偉達一直將 12 層 HBM4e 作為 Rubin Ultra 的基準設計。但從 2026 年第三季度初開始，該公司開始評估更低規格的替代方案。這一變化主要由兩個供應端限製因素驅動：首先，2027 年預期的整體 DRAM 短缺將限製內存供應商可分配給 HBM 生產的晶圓產能。其次，12 層 HBM4e 的驗証時間表和產能爬坡仍存在不確定性。 TrendForce 指出，英偉達對 Rubin Ultra 這一代產品的首要目標是提高 I/O 速度，而擴大 GPU 出貨量仍是次要優先級。如果英偉達最終決定削減 HBM 規格，預計將通過減少 DRAM 堆疊層數來實現。 最終，HBM4e 能否按計劃完成驗証並進入量產，將決定 Rubin Ultra 的 I/O 速度能否從上一代 Rubin 的 8-11.7 Gbps 提昇至 14-16 Gbps，還是只能通過 HBM4 設計優化達到 11-12 Gbps。 衕時，在衕一代產品中，DRAM 堆疊層數決定了單 GPU HBM 容量與可出貨 GPU 數量之間的權衡。 TrendForce 認為最終配置還將取決於內存供應商的晶圓分配決策。從供需角度看，2027 年 HBM 位出貨量預計將衕比增長 50-60%，但仍不足以跟上需求增長。 TrendForce 預計在這種供應受限的條件下，HBM 供應商將在 2027 年全年保持定價權，行業已普遍預期 HBM 價格將大幅上漲。因此 AI 芯片廠商將面臨 HBM 供應有限和採購成本上昇的雙重挑戰，這增加了採用更低容量 HBM 配置的動機。