三星對HBM需求爆發提前卡位，擬將NRD-K2號綫轉型擴產cHBM與HBM5基礎芯片

BiRun 訊，8 月 14 日，分析師 Jukan 援引韓媒指出，三星電子正考慮將位於器興的下一代半導體研發園區 NRD-K 2 號綫用途從研發改為代工生產綫，以擴大 2nm 產能，專門生產用於 HBM 的 2nm 基礎芯片，重點面向英偉達等客戶的 cHBM 和 HBM5 需求。該綫預計 2028 年下半年啓用，以 Send Fab 模式運營——從其他量產綫接收晶圓，只執行特定工藝環節的輔助代工。NRD-K 是三星投資約 20 萬億韓元建設的最先進復閤研發園區，共規劃 3 條生產綫，其中 1 號綫已於 2024 年底完工。

這一調整背後是三星對 AI 基礎設施帶動 HBM 需求爆發的提前卡位。通過在 custom HBM 和 HBM5 上優先採用 2nm 工藝，三星希望在先進封裝基礎芯片的性能競爭中保持優勢。業內觀點認為該綫規模較小，適閤做 Send Fab 角色，但離啓用仍有約兩年時間，最終用途可能隨市場變化調整，設備採購訂單尚未正式發出。此前該綫曾考慮用於 DRAM 量產，現 DRAM 產能進一步集中至平澤園區。三星此次產綫變更進一步印証了 HBM 基礎芯片定製化與先進製程化的發展趨勢。