SK海力士加快1c DRAM轉型，領跑韓國HBM4E競爭

據韓媒報道，SK海力士正迅速擴大第六代10納米級（1c）DRAM的生產佔比。由於1c DRAM將從下一代HBM4E開始作為覈心芯片應用於高帶寬內存（HBM）中，因此該公司正在加快工藝昇級。隨着服務器和人工智能（AI）對高價值存儲器的需求不斷增長，SK海力士與三星電子及美光在推進更先進製程方面的競爭也日益激烈。業內人士今日透露，SK海力士1c DRAM的市場份額已從今年第一季度的約10%增長至第二季度的13%左右。預計第三季度將達到24%左右，第四季度將達到34%左右。預計明年第一季度，1c工藝的市場份額將攀昇至35%左右，首次超越1b工藝（33%左右），成為主流工藝。