消息稱1c nm有望2027年初成為SK海力士主流工藝

SK海力士正在迅速擴大其第六代10nm級DRAM工藝1c nm產能份額。由於1c DRAM將作為覈心芯片堆疊HBM，並應用於下一代高帶寬內存，該公司正在加速其工藝轉型。據業內人士透露，SK海力士1c DRAM的市場份額從今年第一季度的約10%增長到第二季度的13%左右，預計第三季度將昇至24%左右，第四季度將達到34%左右。明年第一季度，1c nm的市場份額有望攀昇至35%左右，首次超過1b（33%左右），成為主流工藝。