三星、SK海力士股價料將面臨“強勁重估” AI投資激增或加劇內存短缺
KB証券7日發布報告稱,受AI基礎設施投資大幅增長推動,存儲芯片市場或將迎來前所未有的供應短缺。該券商預計,經過近期股價調整後,三星電子和SK海力士已進入低估區間,股價有望迎來“強勁重估”。
KB証券指出,全球超大規模雲服務商明年的AI基礎設施投資規模已上調至1.3萬億美元,衕比增長60%。其中,存儲芯片佔AI基礎設施投資的比例預計將從2025年的14%昇至2026年的40%,2027年進一步昇至57%。TrendForce甚至預計,明年這一比例將達到68%。
KB証券研究部門負責人Kim Dong-won表示,截至第三季度,三星電子和SK海力士的存儲芯片庫存已降至10天以內,市場可能出現可銷售庫存被完全耗儘的情況。
該券商認為,HBM4量產擠佔通用DRAM產能將進一步加劇供應緊張。由於HBM4的晶圓產能消耗約為通用DRAM的3倍,在晶圓產能有限的情況下,其擴產將明顯限製存儲芯片整體供給增長。KB証券預計,明年DRAM和NAND的位元需求增速將較供給增速高出10個百分點以上,供需缺口或進一步擴大。
KB証券指出,全球超大規模雲服務商明年的AI基礎設施投資規模已上調至1.3萬億美元,衕比增長60%。其中,存儲芯片佔AI基礎設施投資的比例預計將從2025年的14%昇至2026年的40%,2027年進一步昇至57%。TrendForce甚至預計,明年這一比例將達到68%。
KB証券研究部門負責人Kim Dong-won表示,截至第三季度,三星電子和SK海力士的存儲芯片庫存已降至10天以內,市場可能出現可銷售庫存被完全耗儘的情況。
該券商認為,HBM4量產擠佔通用DRAM產能將進一步加劇供應緊張。由於HBM4的晶圓產能消耗約為通用DRAM的3倍,在晶圓產能有限的情況下,其擴產將明顯限製存儲芯片整體供給增長。KB証券預計,明年DRAM和NAND的位元需求增速將較供給增速高出10個百分點以上,供需缺口或進一步擴大。
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