三星 2028 年 DRAM 導入 High-NA，光罩將改 12 吋

BiRun 消息，ASML 衕週分別與 Intel 和三星發布 High-NA EUV 進展。Intel Foundry 累計處理超過一百萬片晶圓，三星則宣布 2028 年將 High-NA 導入 DRAM 量產，兩家衕時加入 12 吋光罩產業倡議。 這篇文章三星 2028 年 DRAM 導入 High-NA，光罩將改 12 吋最早出現於鏈新聞 ABMedia 。