鎧俠與閃迪發布全球最高密度3D NAND閃存，332層QLC接口速率達4800MT/s

BiRun 訊，8 月 5 日，鎧俠（Kioxia）與閃迪（Sandisk）在 Future of Memory and Storage Conference（FMS）上正式發布最新 BiCS10 3D QLC NAND 閃存芯片，號稱目前全球已正式推出的最高存儲密度 3D NAND 產品。

據介紹，該芯片採用 332 層堆疊結構，單位面積存儲密度達到 37 Gb/mm²，搭載最高 4800 MT/s 高速接口，並支持獨立命令地址（SCA）功能，主要面向高容量數據中心級 SSD 市場。

相比此前兩家公司推出的 BiCS10 3D TLC NAND 產品，其存儲密度超過 29 Gb/mm²，新款 QLC NAND 進一步提昇了數據中心存儲容量密度。業內預計，在採用相近芯片尺寸和存儲單元數量的情況下，該芯片容量可能達到約 1.33Tb，但廠商尚未公佈具體容量規格。

為滿足數據中心對高性能與低功耗的需求，鎧俠與閃迪還引入低功耗隔離低抽頭終端（PI-LTT）技術，在提昇高速信號完整性的衕時降低輸出驅動功耗。

兩家公司表示，基於最新 BiCS10 製程工藝，新一代 QLC NAND 不僅實現更高位密度，也有望在產能爬坡後降低製造成本，從而支持更高容量 SSD 以更具競爭力的價格進入市場。