京都大學成功研發出耐 600°C 高溫碳化矽電晶體

BiRun 消息，京都大學成功研發出能承受 600°C 高溫的碳化矽（SiC）電晶體，遠遠超越了傳統矽晶片在 250°C 以上卽 […] 這篇文章京都大學成功研發出耐 600°C 高溫碳化矽電晶體最早出現於鏈新聞 ABMedia 。